首頁>HGTG5N120BND>規(guī)格書詳情
HGTG5N120BND數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
HGTG5N120BND |
| 參數(shù)屬性 | HGTG5N120BND 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT NPT 1200V 21A TO247-3 |
| 功能描述 | 1200V，NPT IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導體 安森美半導體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 17:42:00 |
| 人工找貨 | HGTG5N120BND價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
HGTG5N120BND規(guī)格書詳情
描述 Description
HGTG5N120BND 基于無通沖孔 (NPT) IGBT 設計。此 IGBT 適用于低導通損耗至關重要的、在中等頻率下運行的多種高電壓開關應用，如 UPS、太陽能逆變器、電機控制和電源。
特性 Features
?10A, 1200V, TC = 110°C
?低飽和電壓：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A
?典型下降時間。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C時為175ns
?短路額定值
?低傳導損耗
應用 Application
不間斷電源
簡介
HGTG5N120BND屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG5N120BND晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
技術參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
HGTG5N120BND
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，5A
- 開關能量：
450μJ（開），390μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
22ns/160ns
- 測試條件：
960V，5A，25 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO247 |
1709 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
12+ |
TO-247 |
3504 |
詢價 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ONSEMI |
24+ |
N/A |
10000 |
只做原裝,實單最低價支持 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
2366 |
正規(guī)渠道原裝正品 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
45000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
TO-247 |
188600 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢 |
詢價 |
