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HGTG40N60B3數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
HGTG40N60B3 |
| 參數(shù)屬性 | HGTG40N60B3 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 70A 290W TO247 |
| 功能描述 | 600V，PT IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 18:46:00 |
| 人工找貨 | HGTG40N60B3價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
HGTG40N60B3規(guī)格書詳情
描述 Description
HGTG40N60B3 是一個 MOS 門極高電壓開關(guān)器件，組合了 MOSFET 和雙極晶體管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高輸入阻抗，以及雙極晶體管的低導(dǎo)通狀態(tài)損耗。低得多的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降在 25°C 和 150°C 之間僅存在少量變化。此 IGBT 適用于低導(dǎo)通損耗至關(guān)重要的、在中等頻率下運(yùn)行的多種高電壓開關(guān)應(yīng)用，如： 交流和直流電機(jī)控制、電磁閥電源和驅(qū)動器、繼電器和接觸器。
特性 Features
?70A, 600V, TC = 25°C
?600 V 開關(guān) SOA 能力
?典型下降時間： TJ=150°C 時為 140 ns
?短路額定值
?低導(dǎo)通損耗
應(yīng)用 Application
其他工業(yè)
簡介
HGTG40N60B3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG40N60B3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
HGTG40N60B3
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，40A
- 開關(guān)能量：
1.05mJ（開），800μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
47ns/170ns
- 測試條件：
480V，40A，3 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 70A 290W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
21+ |
TO-247-3 |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
2095 |
原裝進(jìn)口特價供應(yīng) 特價，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品 更多詳細(xì)咨詢 庫存 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價 | ||
fsc |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價,代理渠道 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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Intersil |
25+23+ |
TO247 |
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FAI |
23+ |
65480 |
詢價 |
