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HGTG30N60B3D數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

HGTG30N60B3D

參數(shù)屬性

HGTG30N60B3D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A TO247-3

功能描述

600V,PT IGBT
IGBT 600V 60A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 23:01:00

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HGTG30N60B3D規(guī)格書詳情

描述 Description

HGTG30N60B3D 是一個 MOS 門極高電壓開關(guān)器件,組合了 MOSFET 和雙極晶體管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高輸入阻抗,以及雙極晶體管的低導(dǎo)通狀態(tài)損耗。低得多的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降在 25°C 和 150°C 之間僅存在少量變化。使用的 IGBT 是開發(fā)型 TA49170。與 IGBT 防并聯(lián)使用的二極管是開發(fā)型 TA49053。此 IGBT 適用于低導(dǎo)通損耗至關(guān)重要的、在中等頻率下運行的多種高電壓開關(guān)應(yīng)用,如: 交流和直流電機控制、電磁閥電源和驅(qū)動器、繼電器和接觸器。之前還發(fā)型號為 TA49172。

特性 Features

?60A, 600V, TC = 25°C
?600 V 開關(guān) SOA 能力
?典型下降時間: TJ=150°C 時為 90 ns
?短路額定值
?低導(dǎo)通損耗
?超快反向并聯(lián)二極管

應(yīng)用 Application

? 其他工業(yè)

簡介

HGTG30N60B3D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG30N60B3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG30N60B3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    550μJ(開),680μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    36ns/137ns

  • 測試條件:

    480V,30A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 60A TO247-3

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