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HGTG30N60B3D數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

廠商型號 |
HGTG30N60B3D |
參數(shù)屬性 | HGTG30N60B3D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 60A TO247-3 |
功能描述 | 600V,PT IGBT |
封裝外殼 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-5 23:01:00 |
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HGTG30N60B3D規(guī)格書詳情
描述 Description
HGTG30N60B3D 是一個 MOS 門極高電壓開關(guān)器件,組合了 MOSFET 和雙極晶體管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高輸入阻抗,以及雙極晶體管的低導(dǎo)通狀態(tài)損耗。低得多的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降在 25°C 和 150°C 之間僅存在少量變化。使用的 IGBT 是開發(fā)型 TA49170。與 IGBT 防并聯(lián)使用的二極管是開發(fā)型 TA49053。此 IGBT 適用于低導(dǎo)通損耗至關(guān)重要的、在中等頻率下運行的多種高電壓開關(guān)應(yīng)用,如: 交流和直流電機控制、電磁閥電源和驅(qū)動器、繼電器和接觸器。之前還發(fā)型號為 TA49172。
特性 Features
?60A, 600V, TC = 25°C
?600 V 開關(guān) SOA 能力
?典型下降時間: TJ=150°C 時為 90 ns
?短路額定值
?低導(dǎo)通損耗
?超快反向并聯(lián)二極管
應(yīng)用 Application
? 其他工業(yè)
簡介
HGTG30N60B3D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG30N60B3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號:
HGTG30N60B3D
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,30A
- 開關(guān)能量:
550μJ(開),680μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
36ns/137ns
- 測試條件:
480V,30A,3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 60A TO247-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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