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HGTG30N60C3D數據手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
HGTG30N60C3D規(guī)格書詳情
描述 Description
HGTG30N60C3D 是一款 MOS 門控高壓開關器件,它充分融合了 MOSFET 和雙極晶體管的最佳功能。 該器件具有 MOSFET 的高輸入阻抗以及雙極晶體管的低通態(tài)導通損耗。 非常低的通態(tài)壓降僅在 25°C 到 150°C 之間適度變化。使用的 IGBT 是開發(fā)類型 TA49051。 反向并聯 IGBT 使用的二極管是開發(fā)類型 TA49053。 該IGBT非常適合許多工作頻率中等,而低傳導損耗又至關重要的高壓開關應用。 以前的開發(fā)類型為 TA49014。
特性 Features
?63A, 600V, TC = 25°C
?典型下降時間: 230ns @ TJ = 150°C
?短路額定值
?低導通損耗
?超快反向并聯二極管
應用 Application
其他工業(yè)
簡介
HGTG30N60C3D屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的HGTG30N60C3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
技術參數
更多- 產品編號:
HGTG30N60C3D
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.8V @ 15V,30A
- 開關能量:
1.05mJ(開),2.5mJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 63A TO247-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FCS |
20+ |
TO-2473L |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
9501 |
原裝進口特價供應 特價,原裝元器件供應,支持開發(fā)樣品 更多詳細咨詢 庫存 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
fsc |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價,代理渠道 |
詢價 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
詢價 | |||
onsemi |
兩年內 |
NA |
900 |
實單價格可談 |
詢價 | ||
Fairchild(飛兆/仙童) |
24+ |
N/A |
8048 |
原廠可訂貨,技術支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div> |
詢價 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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詢價 | ||
FSC |
23+ |
NA |
986 |
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詢價 | ||
ON/安森美 |
2022+ |
5000 |
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詢價 |