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HGTG30N60C3D數據手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

HGTG30N60C3D

參數屬性

HGTG30N60C3D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 63A TO247-3

功能描述

600V, PT IGBT
IGBT 600V 63A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數據手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 20:38:00

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HGTG30N60C3D規(guī)格書詳情

描述 Description

HGTG30N60C3D 是一款 MOS 門控高壓開關器件,它充分融合了 MOSFET 和雙極晶體管的最佳功能。 該器件具有 MOSFET 的高輸入阻抗以及雙極晶體管的低通態(tài)導通損耗。 非常低的通態(tài)壓降僅在 25°C 到 150°C 之間適度變化。使用的 IGBT 是開發(fā)類型 TA49051。 反向并聯 IGBT 使用的二極管是開發(fā)類型 TA49053。 該IGBT非常適合許多工作頻率中等,而低傳導損耗又至關重要的高壓開關應用。 以前的開發(fā)類型為 TA49014。

特性 Features

?63A, 600V, TC = 25°C
?典型下降時間: 230ns @ TJ = 150°C
?短路額定值
?低導通損耗
?超快反向并聯二極管

應用 Application

其他工業(yè)

簡介

HGTG30N60C3D屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的HGTG30N60C3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數

更多
  • 產品編號:

    HGTG30N60C3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    1.05mJ(開),2.5mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 63A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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20+
TO-2473L
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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原包裝原封 □□
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原裝進口特價供應 特價,原裝元器件供應,支持開發(fā)樣品 更多詳細咨詢 庫存
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