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HGTG40N60A4數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
HGTG40N60A4 |
| 參數(shù)屬性 | HGTG40N60A4 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 75A TO247-3 |
| 功能描述 | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名稱 | 瑞薩 瑞薩科技有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 17:42:00 |
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HGTG40N60A4規(guī)格書詳情
描述 Description
The HGTG40N60A4 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFET and a bipolar transistor. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.
特性 Features
? 100kHz Operation At 390V, 40A
? 200kHz Operation At 390V, 20A
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . 55ns at TJ = 125°
? Low Conduction Loss
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號：
HGTG40N60A4
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，40A
- 開關(guān)能量：
400μJ（開），370μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
25ns/145ns
- 測試條件：
390V，40A，2.2歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 75A TO247-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
21+ |
TO-247 |
1372 |
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TO-247-3 |
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FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
TO247 |
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FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
詢價 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
880000 |
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ON/安森美 |
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FAIRCHILD |
25+23+ |
TO-247 |
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FAI |
23+ |
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Fairchi |
24+ |
TO-247DIP |
6000 |
進口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價 |
