描述 Description

HGTG30N60B3 結(jié)合最佳的 MOSFET 高輸入阻抗特性和雙極型晶體管的低通態(tài)導(dǎo)通損耗特性。 該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等，而低導(dǎo)通損耗又至關(guān)重要的高壓開關(guān)應(yīng)用，如 UPS、太陽能逆變器和電源。

特性 Features

?30 A、600 V、TC= 110°C
?低飽和電壓： VCE(sat)=1.45 V，需 IC=30 A
?典型下降時間。 . . . . . . . TJ=150°C 時為 90ns
?短路額定值
?低導(dǎo)通損耗

應(yīng)用 Application

? 發(fā)電和配電

簡介

HGTG30N60B3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG30N60B3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。