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HGTG30N60A4D數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

HGTG30N60A4D
參數(shù)屬性

HGTG30N60A4D 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 75A 463W TO247
功能描述

600V，SMPS IGBT
IGBT 600V 75A 463W TO247
封裝外殼

TO-247-3
制造商

ONSEMI ON Semiconductor
中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二
更新時(shí)間

2025-9-5 23:01:00
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HGTG30N60A4D規(guī)格書詳情

描述 Description

HGTG30N60A4D 是一個(gè) MOS 門極高電壓開(kāi)關(guān)器件，組合了 MOSFET 和雙極晶體管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高輸入阻抗，以及雙極晶體管的低導(dǎo)通狀態(tài)損耗。低得多的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降在 25°C 和 150°C 之間僅存在少量變化。使用的 IGBT 是開(kāi)發(fā)型 TA49343。防并聯(lián)中使用的二極管是開(kāi)發(fā)型 TA49373。此 IGBT 適用于低導(dǎo)通損耗至關(guān)重要的、在高頻率下運(yùn)行的多種高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用。此器件針對(duì)高頻率開(kāi)關(guān)模式電源進(jìn)行了優(yōu)化。之前的開(kāi)發(fā)型號(hào)為 TA49345。

特性 Features

?100 kHz 運(yùn)行（390 V、30 A）
?200kHz運(yùn)行（390V、18A）
?600 V 開(kāi)關(guān) SOA 能力
?典型下降時(shí)間。 . . . . . . . . . TJ = 125&°C時(shí)為60ns
?低導(dǎo)通損耗
?溫度補(bǔ)償式 SABER?模型

應(yīng)用 Application

? AC-DC商用電源-服務(wù)器和工作站

簡(jiǎn)介

HGTG30N60A4D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG30N60A4D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTG30N60A4D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，30A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    280μJ（開(kāi)），240μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    25ns/150ns

  • 測(cè)試條件：

    390V，30A，3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 463W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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