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HGTG20N60C3D數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

HGTG20N60C3D

參數(shù)屬性

HGTG20N60C3D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 45A 164W TO247

功能描述

45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
IGBT 600V 45A 164W TO247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 23:01:00

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HGTG20N60C3D規(guī)格書詳情

描述 Description

The HGTG20N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is development type TA49178. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060 (TA49063).

特性 Features

? 45A, 600V, TC= 25°C
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . .? 108ns at TJ= 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
? Hyperfast Anti-Parallel Diode

簡介

HGTG20N60C3D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG20N60C3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG20N60C3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    500μJ(開),500μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    28ns/151ns

  • 測試條件:

    480V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 45A 164W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
NA/
3395
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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