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HGTG40N60A4數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
HGTG40N60A4 |
| 參數(shù)屬性 | HGTG40N60A4 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 75A TO247-3 |
| 功能描述 | 600V，SMPS IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 17:42:00 |
| 人工找貨 | HGTG40N60A4價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
HGTG40N60A4規(guī)格書詳情
描述 Description
HGTG40N60A4 同時具有 MOSFET 的高輸入阻抗以及雙極晶體管的低導(dǎo)通狀態(tài)損耗的最佳特性。此 IGBT 適用于務(wù)必保證低導(dǎo)通損耗的、在高頻率下運行的多種高電壓開關(guān)應(yīng)用。該器件已針對 UPS 和電焊機等快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化。
特性 Features
?63A, 600V @ TC = 110°C
?低飽和電壓：V CE(sat) = 1.7 V，需 I C = 40 A
?典型下降時間。. . . . . . . . . . . . . . . . . TJ = 125°C時為0.55ns
?低傳導(dǎo)損耗
應(yīng)用 Application
其他工業(yè)
簡介
HGTG40N60A4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG40N60A4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
HGTG40N60A4
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，40A
- 開關(guān)能量：
400μJ（開），370μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
25ns/145ns
- 測試條件：
390V，40A，2.2歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 75A TO247-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
21+ |
TO-247 |
1372 |
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FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
TO247 |
3138 |
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FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
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原裝進口特價供應(yīng) 特價，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品 更多詳細咨詢 庫存 |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
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詢價 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
880000 |
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FAIRCHILD |
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