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HGTG30N60A4數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

HGTG30N60A4

參數(shù)屬性

HGTG30N60A4 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A TO247-3

功能描述

IGBT,600V,SMPS
IGBT 600V 75A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 23:01:00

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HGTG30N60A4規(guī)格書詳情

描述 Description

HGTG30N60A4 結(jié)合最佳的 MOSFET 高輸入阻抗特性和雙極型晶體管的低通態(tài)傳導損耗特性。該 IGBT 非常適合許多工作頻率很高,而低導通損耗又至關重要的高壓開關應用。該設備已被優(yōu)化來實現(xiàn)快速開關應用,比如 UPS 和焊機。

特性 Features

?60A, 600V @ TC = 110°C
?低飽和電壓:V CE(sat) = 1.8 V,需 I C = 30 A
?典型下降時間。. . . . . . . . . TJ = 125°C時為58ns
?低傳導損耗

應用 Application

? 其他工業(yè)

簡介

HGTG30N60A4屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG30N60A4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :HGTG30N60A4

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :60

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.8

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.24

  • Eon Typ (mJ)

    :0.28

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :225

  • Short Circuit Withstand (μs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :463

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :TO-247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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