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XNA20N60T

600V，20A，Trench-FS IGBT; ? 低飽和導(dǎo)通壓降；\n? 低開(kāi)關(guān)損耗；\n? 高短路電流耐量；\n? 高的參數(shù)一致性；\n? 高的輸入阻抗；\n? 正向溫度系數(shù)，適合并聯(lián)使用。\n;

芯能的IGBT采用國(guó)際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場(chǎng)截止型技術(shù)（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等各類(lèi)應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時(shí)具有高的短路電流能力。

XinerShenZhen Invsemi Technology Co.,Ltd

芯能半導(dǎo)體深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

20N60

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

20N60

FastSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

20N60

N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

20N60A

20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

20N60B

HiPerFASTIGBT

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD ?Highcurrenthandlingcapability ?LatestgenerationHDMOSTMprocess ?MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Corporation

20N60CFD

HITACHIEncapsulation,DIP16

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

20N60CFD

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Periodicavalancherated ?Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • Build-in Diode：

    Yes

  • Vce(max)@25℃：

    600

  • Ic(max)@25℃：

    40

  • Ic(max)@100℃：

    20

  • Icpuls(max)：

    60

  • Short-Circuit(uS)：

    10

  • PD(max)@25℃：

    166

  • VGE(max)：

    6.5

  • VGE(th)(typ)：

    5.2

  • VCE(sat)(typ)(Vge=15V)：

    1.7

  • VCE(sat)(max)(Vge=15V)：

    2

  • Vf(Typ)：

    1.8

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
N/A
24+
N/A
9208
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
 詢(xún)價(jià)
Xiner(芯能半導(dǎo)體)
2447
D2pak
105000
800個(gè)/圓盤(pán)一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)
 詢(xún)價(jià)
XINER/芯能
23+
TO-263
7500
芯能全系列在售,終端可出樣品
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24+
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70000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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XINER/芯能
23+
TO-263
7500
專(zhuān)業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)
 詢(xún)價(jià)
Xiner(芯能半導(dǎo)體)
23+
D2PAK
800
三極管/MOS管/晶體管 > IGBT管/模塊
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XINER芯能半導(dǎo)體
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原裝現(xiàn)貨,假一罰十
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更多XNA20N60T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 9:13:00

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