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XNU75N120TF2

IGBT單管; ? 低飽和導(dǎo)通壓降;\n? 低開關(guān)損耗;\n? 高短路電流耐量;\n? 高的參數(shù)一致性;\n? 高的輸入阻抗;\n? 正向溫度系數(shù),適合并聯(lián)使用。\n;

芯能的IGBT采用國際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場截止型技術(shù)(Trench + FS),合理優(yōu)化了器件電流密度 ,獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降(Vce(sat))和關(guān)斷損耗(Eoff)平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)電源等各類應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余,電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時具有高的短路電流能力。

XinerShenZhen Invsemi Technology Co.,Ltd

芯能半導(dǎo)體深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Build-in:

    Yes

  • Vce(max):

    1200

  • Ic(max):

    75

  • Icpuls(max):

    300

  • Short-Circuit(uS):

    _

  • Tvj:

    -40~+ 175

  • VGE(th)(typ):

    5.4

  • VCE(sat)(typ):

    1.85

  • Vf:

    2.3

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更多XNU75N120TF2供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 11:01:00