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XNS80N65T

IGBT單管; ? 低飽和導(dǎo)通壓降；\n? 低開關(guān)損耗；\n? 高短路電流耐量；\n? 高的參數(shù)一致性；\n? 高的輸入阻抗；\n? 正向溫度系數(shù)，適合并聯(lián)使用。\n;

芯能的IGBT采用國(guó)際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場(chǎng)截止型技術(shù)（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等各類應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時(shí)具有高的短路電流能力。

XinerShenZhen Invsemi Technology Co.,Ltd

芯能半導(dǎo)體深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

XNS80N65TB3

IGBT單管; ? 低飽和導(dǎo)通壓降；\n? 低開關(guān)損耗；\n? 高短路電流耐量；\n? 高的參數(shù)一致性；\n? 高的輸入阻抗；\n? 正向溫度系數(shù)，適合并聯(lián)使用。\n;

芯能的IGBT采用國(guó)際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場(chǎng)截止型技術(shù)（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等各類應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時(shí)具有高的短路電流能力。

XinerShenZhen Invsemi Technology Co.,Ltd

芯能半導(dǎo)體深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

XNS80N65TSH3

IGBT單管; ? 低飽和導(dǎo)通壓降；\n? 低開關(guān)損耗；\n? 高短路電流耐量；\n? 高的參數(shù)一致性；\n? 高的輸入阻抗；\n? 正向溫度系數(shù)，適合并聯(lián)使用。\n;

芯能的IGBT采用國(guó)際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場(chǎng)截止型技術(shù)（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等各類應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時(shí)具有高的短路電流能力。

XinerShenZhen Invsemi Technology Co.,Ltd

芯能半導(dǎo)體深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DTGN80N65

Highspeedswitching

DINTEK

Din-Tek Semiconductor

技術(shù)參數(shù)

  • Build-in：

    Yes

  • Vce(max)：

    650

  • Ic(max)：

    80

  • Icpuls(max)：

    300

  • Short-Circuit(uS)：

    NO

  • Tvj：

    -40~+ 175

  • VGE(th)(typ)：

    5.2

  • VCE(sat)(typ)：

    1.5

  • Vf：

    1.6

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
XINER/芯能
23+
TO-247
7500
芯能全系列在售,終端可出樣品
 詢價(jià)
XINER/芯能
23+
TO-247
7500
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)
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BGA
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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更多XNS80N65T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 11:01:00

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