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FCB20N60F

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Build-in Diode:

    Yes

  • Vce(max)@25℃:

    600

  • Ic(max)@25℃:

    40

  • Ic(max)@100℃:

    20

  • Icpuls(max):

    60

  • Short-Circuit(uS):

    10

  • PD(max)@25℃:

    166

  • VGE(max):

    6.5

  • VGE(th)(typ):

    5.2

  • VCE(sat)(typ)(Vge=15V):

    1.7

  • VCE(sat)(max)(Vge=15V):

    2

  • Vf(Typ):

    1.8

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多XNA20N60T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 14:22:00