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XNM6N60T

600V，6A，Trench-FS IGBT; ? 低飽和導(dǎo)通壓降；\n? 低開關(guān)損耗；\n? 高短路電流耐量；\n? 高的參數(shù)一致性；\n? 高的輸入阻抗；\n? 正向溫度系數(shù)，適合并聯(lián)使用。\n;

芯能的IGBT采用國際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場(chǎng)截止型技術(shù)（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等各類應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時(shí)具有高的短路電流能力。

XinerShenZhen Invsemi Technology Co.,Ltd

芯能半導(dǎo)體深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

6N60

6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

?DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

6N60

N-CHANNELPOWERMOSFET

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

6N60

N-ChannelPowerMOSFET

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

6N60

N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

6N60

AvalancheEnergySpecified

DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

6N60

600VN-ChannelPowerMOSFET

DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一電子山東迪一電子科技有限公司

6N60

6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

6N60

6Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司

6N60

6.2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Build-in Diode：

    Yes

  • Vce(max)@25℃：

    600

  • Ic(max)@25℃：

    12

  • Ic(max)@100℃：

    6

  • Icpuls(max)：

    18

  • Short-Circuit(uS)：

    10

  • PD(max)@25℃：

    88

  • VGE(max)：

    6.5

  • VGE(th)(typ)：

    5.2

  • VCE(sat)(typ)(Vge=15V)：

    2.1

  • VCE(sat)(max)(Vge=15V)：

    2.4

  • Vf(Typ)：

    1.7

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Xiner(芯能半導(dǎo)體)
2447
TO-252
105000
2500個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,
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XINER/芯能
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芯能全系列在售,終端可出樣品
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一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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XINER/芯能
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更多XNM6N60T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 15:01:00

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