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XNS50S12E6

IPM; ? 封裝形式多樣，兼容性好；\n? 產(chǎn)品規(guī)格多，應(yīng)用范圍廣；\n? 內(nèi)置電機(jī)專用的FRDMOS或TFSIGBT；\n? 內(nèi)置SOI工藝的HVIC，穩(wěn)固性高；\n? 短路耐量>10us@400V/15V/150℃；\n? 低溫升和低電磁干擾設(shè)計；\n? 可靠性高，保護(hù)功能完善。\n;

IPM將功率器件連同其驅(qū)動電路和多種保護(hù)電路封裝在同一模塊內(nèi)，進(jìn)行過完美的匹配，使系統(tǒng)設(shè)計者從繁瑣的驅(qū)動和保護(hù)電路設(shè)計中解脫出來，同時提高了系統(tǒng)的可靠性。

XinerShenZhen Invsemi Technology Co.,Ltd

芯能半導(dǎo)體深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • 電流(A)：

    50

  • 絕緣耐壓(KV)：

    2.5

  • 優(yōu)化開關(guān)（KHz）：

    20

  • 器件：

    IGBT

  • 推薦功率(W)：

    5000

  • 熱接口：

    DBC

  • 自舉二極管：

    是

  • 欠壓保護(hù)：

    是

  • 過流保護(hù)：

    是

  • 溫度輸出：

    VOT

  • 互鎖：

    是

  • RDS(on)(Typ)(Ω)：

    1.8

  • VF(Typ)(V)：

    1.8

  • Rth(j-c)(Max)(℃/W)：

    0.8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多XNS50S12E6供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 11:01:00

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