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IGBT單管; ? 低飽和導(dǎo)通壓降；\n? 低開(kāi)關(guān)損耗；\n? 高短路電流耐量；\n? 高的參數(shù)一致性；\n? 高的輸入阻抗；\n? 正向溫度系數(shù)，適合并聯(lián)使用。\n;

芯能的IGBT采用國(guó)際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場(chǎng)截止型技術(shù)（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等各類(lèi)應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時(shí)具有高的短路電流能力。