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HGTG30N60A4D數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

廠商型號(hào) |
HGTG30N60A4D |
參數(shù)屬性 | HGTG30N60A4D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A 463W TO247 |
功能描述 | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
封裝外殼 | TO-247-3 |
制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
中文名稱 | 瑞薩 瑞薩科技有限公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-5 23:01:00 |
人工找貨 | HGTG30N60A4D價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號(hào):
HGTG30N60A4D
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,30A
- 開(kāi)關(guān)能量:
280μJ(開(kāi)),240μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
25ns/150ns
- 測(cè)試條件:
390V,30A,3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 75A 463W TO247
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
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TO-247 |
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