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首頁(yè)>HGTG30N60A4D>規(guī)格書詳情

HGTG30N60A4D數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

HGTG30N60A4D

參數(shù)屬性

HGTG30N60A4D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A 463W TO247

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

封裝外殼

TO-247-3

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名稱

瑞薩 瑞薩科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-5 23:01:00

人工找貨

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技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTG30N60A4D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,30A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    280μJ(開(kāi)),240μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    25ns/150ns

  • 測(cè)試條件:

    390V,30A,3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 463W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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