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HGTG30N60C3D

63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTG30N60C3D

63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Description TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarieso

HARRIS

Harris Corporation

HGTG30N60C3D

63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel

Intersil

Intersil Corporation

HGTG30N60C3D

63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

Features ?63A,600VatTC=25oC ?TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC ?ShortCircuitRating ?LowConductionLoss ?HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGTG30N60C3D

600V, PT IGBT; ?63A, 600V, TC = 25°C\n?典型下降時間： 230ns @ TJ = 150°C\n?短路額定值\n?低導(dǎo)通損耗\n?超快反向并聯(lián)二極管\n;

HGTG30N60C3D 是一款 MOS 門控高壓開關(guān)器件，它充分融合了 MOSFET 和雙極晶體管的最佳功能。 該器件具有 MOSFET 的高輸入阻抗以及雙極晶體管的低通態(tài)導(dǎo)通損耗。 非常低的通態(tài)壓降僅在 25°C 到 150°C 之間適度變化。使用的 IGBT 是開發(fā)類型 TA49051。 反向并聯(lián) IGBT 使用的二極管是開發(fā)類型 TA49053。 該IGBT非常適合許多工作頻率中等，而低傳導(dǎo)損耗又至關(guān)重要的高壓開關(guān)應(yīng)用。 以前的開發(fā)類型為 TA49014。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

HGTG30N60C3D

63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes;

RenesasRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

HGTG30N60C3D

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 63A TO247-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

HGTG30N60C3D_V01

63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

Features ?63A,600VatTC=25oC ?TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC ?ShortCircuitRating ?LowConductionLoss ?HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTG30N60C3D

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    1.05mJ（開），2.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 63A TO247-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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TO-247
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原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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FAIRCHILD
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Fairchild(飛兆/仙童)
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原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>
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原裝進口
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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更多HGTG30N60C3D供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 8:12:00

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