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首頁(yè)>HGTG12N60A4D>規(guī)格書(shū)詳情

HGTG12N60A4D數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

HGTG12N60A4D

參數(shù)屬性

HGTG12N60A4D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 54A 167W TO247

功能描述

600V,SMPS IGBT
IGBT 600V 54A 167W TO247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-5 20:38:00

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HGTG12N60A4D規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

HGTG12N60A4D 結(jié)合了 MOSFET 的高輸入阻抗,以及雙極晶體管的低導(dǎo)通狀態(tài)損耗最佳特性。此 IGBT 適用于務(wù)必保證低導(dǎo)通損耗的、在高頻率下運(yùn)行的多種高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件適用于 UPS 和焊接機(jī)等快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

特性 Features

?23A, 600V @ TC = 110°C
?低飽和電壓:V CE(sat) = 2.0 V,需 I C = 12 A
?典型下降時(shí)間............TJ = 125°C時(shí)為70ns
?低傳導(dǎo)損耗

應(yīng)用 Application

? 不間斷電源

簡(jiǎn)介

HGTG12N60A4D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG12N60A4D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTG12N60A4D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,12A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    55μJ(開(kāi)),50μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    17ns/96ns

  • 測(cè)試條件:

    390V,12A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 54A 167W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原裝
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