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HGTG10N120BND數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

HGTG10N120BND

參數(shù)屬性

HGTG10N120BND 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

功能描述

1200V,NPT IGBT
IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 23:01:00

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HGTG10N120BND規(guī)格書詳情

描述 Description

HGTG10N120BND 基于無通沖孔 (NPT) IGBT 設(shè)計。此 IGBT 適用于低導(dǎo)通損耗至關(guān)重要的、在中等頻率下運行的多種高電壓開關(guān)應(yīng)用,如 UPS、太陽能逆變器、電機(jī)控制和電源。

應(yīng)用 Application

不間斷電源

簡介

HGTG10N120BND屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG10N120BND晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG10N120BND

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    850μJ(開),800μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    23ns/165ns

  • 測試條件:

    960V,10A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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