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HGTD1N120BNS數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

HGTD1N120BNS

參數(shù)屬性

HGTD1N120BNS 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

功能描述

IGBT,1200V,NPT
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-6 15:27:00

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HGTD1N120BNS規(guī)格書詳情

描述 Description

HGTD1N120BNS9A 基于非穿通 (NPT) IGBT 設(shè)計。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等,而低傳導(dǎo)損耗又至關(guān)重要的高壓開關(guān)應(yīng)用,如 UPS、太陽能逆變器、電機控制和電源。

特性 Features

?2.7 A,1200 V,需 TC = 110°C
?低飽和電壓:VCE(sat) = 2.5 V,需 IC = 1.0 A
?典型下降時間...................TJ = 150°C時為258ns
?短路額定值
?低傳導(dǎo)損耗

應(yīng)用 Application

? 不間斷電源

簡介

HGTD1N120BNS屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTD1N120BNS晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :HGTD1N120BNS

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :1200

  • IC Max (A)

    :2.7

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.5

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.09

  • Eon Typ (mJ)

    :0.07

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :14

  • Short Circuit Withstand (μs)

    :8

  • EAS Typ (mJ)

    :10

  • PD Max (W)

    :60

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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