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HGTD7N60C3S數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
HGTD7N60C3S |
| 參數(shù)屬性 | HGTD7N60C3S 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 14A TO252AA |
| 功能描述 | 14A，600V，UFS 系列 N 溝道 IGBT |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導體 安森美半導體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-6 9:40:00 |
| 人工找貨 | HGTD7N60C3S價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
HGTD7N60C3S規(guī)格書詳情
描述 Description
14A，600V，UFS 系列 N 溝道 IGBT
應用 Application
其他工業(yè)
簡介
HGTD7N60C3S屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTD7N60C3S晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
技術參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
HGTD7N60C3S9A
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，7A
- 開關能量：
165μJ（開），600μJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應商器件封裝：
TO-252AA
- 描述：
IGBT 600V 14A TO252AA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERSIL |
24+ |
TO-252 |
6000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
P-TO220-3-1 |
69820 |
終端可以免費供樣,支持BOM配單! |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
32750 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
ON |
23+ |
TO-252 |
10065 |
原裝正品,有掛有貨,假一賠十 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
HARRIS |
05+ |
原廠原裝 |
4760 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應 |
詢價 | ||
onsemi |
2025+ |
TO-252AA |
55740 |
詢價 | |||
ON |
23+ |
TO-252 |
5000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
FAIRC |
12+ |
TO-252(DPAK) |
15000 |
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應。 |
詢價 |
