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HGTD1N120BNS數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
HGTD1N120BNS |
| 參數(shù)屬性 | HGTD1N120BNS 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
| 功能描述 | 5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名稱 | 瑞薩 瑞薩科技有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-6 9:31:00 |
| 人工找貨 | HGTD1N120BNS價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號：
HGTD1N120BNS9A
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，1A
- 開關(guān)能量：
70μJ（開），90μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
15ns/67ns
- 測試條件：
960V，1A，82 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-252AA
- 描述：
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
19+ |
TO-252 |
10000 |
詢價 | |||
FAIRCHILD |
TO252 |
9850 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-263 |
69820 |
終端可以免費供樣,支持BOM配單! |
詢價 | ||
INTERSIL |
23+ |
TO-252TO-251 |
64644 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
Fairchi |
24+ |
TO-252 |
6000 |
進口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價 | ||
FAI |
23+ |
65480 |
詢價 | ||||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-252AA |
18000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
INTERSIL |
05+ |
原廠原裝 |
4735 |
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | ||
FSC |
25+ |
QFP |
3200 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 |
