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首頁>HGTG11N120CND>規(guī)格書詳情

HGTG11N120CND數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

HGTG11N120CND

參數(shù)屬性

HGTG11N120CND 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

功能描述

43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

封裝外殼

TO-247-3

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名稱

瑞薩 瑞薩科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 23:01:00

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技術參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號:

    HGTG11N120CND

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,11A

  • 開關能量:

    950μJ(開),1.3mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    23ns/180ns

  • 測試條件:

    960V,11A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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