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HGTG11N120CND數(shù)據手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
HGTG11N120CND |
| 參數(shù)屬性 | HGTG11N120CND 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT NPT 1200V 43A TO247-3 |
| 功能描述 | 1200 V NPT IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導體 安森美半導體公司 |
| 數(shù)據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 23:01:00 |
| 人工找貨 | HGTG11N120CND價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
HGTG11N120CND規(guī)格書詳情
描述 Description
HGTG11N120CND 基于非穿通 (NPT) IGBT 設計。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等，而低傳導損耗又至關重要的高壓開關應用，如 UPS、太陽能逆變器、電機控制和電源。
應用 Application
不間斷電源
簡介
HGTG11N120CND屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的HGTG11N120CND晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
技術參數(shù)
更多- 產品編號：
HGTG11N120CND
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，11A
- 開關能量：
950μJ（開），1.3mJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
23ns/180ns
- 測試條件：
960V，11A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
928 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務 |
詢價 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-247 |
32000 |
ONSEMI/安森美全新特價HGTG11N120CND即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247(AC) |
8080 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
2023+ |
TO-247AC |
4550 |
全新原裝正品 |
詢價 | ||
fsc |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價,代理渠道 |
詢價 | |||
ON |
24+ |
TO-247-3 |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
18+ |
TO-220 |
19750 |
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-264 |
1526 |
全新原裝環(huán)保 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO247 |
1709 |
詢價 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247(AC) |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 |
