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HGTG12N60A4數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

廠商型號(hào) |
HGTG12N60A4 |
參數(shù)屬性 | HGTG12N60A4 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 54A 167W TO247 |
功能描述 | IGBT 600V 54A 167W TO247 |
封裝外殼 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-5 23:01:00 |
人工找貨 | HGTG12N60A4價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
HGTG12N60A4規(guī)格書(shū)詳情
簡(jiǎn)介
HGTG12N60A4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG12N60A4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
:HGTG12N60A4
- 生產(chǎn)廠家
:ONSEMI
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
:600V
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
:54A
- 脈沖電流 - 集電極 (Icm)
:96A
- 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on)
:2.7V @ 15V,12A
- 功率 - 最大值
:167W
- 開(kāi)關(guān)能量
:55μJ(開(kāi)),50μJ(關(guān))
- 輸入類型
:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷
:78nC
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值
:17ns/96ns
- 測(cè)試條件
:390V,12A,10 歐姆,15V
- 工作溫度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型
:通孔
- 封裝/外殼
:TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝
:TO-247
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
10 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) | ||
FSC |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3P |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
TO-247 |
1356 |
絕對(duì)有現(xiàn)貨,不止網(wǎng)上數(shù)量!原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
30000 |
房間原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣,有單詳談 |
詢價(jià) | ||
FARICHILD |
18+ |
TO3P |
415 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
25+ |
TO-247 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INTESIL |
23+ |
TO-3P |
8000 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) |