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首頁(yè)>HGTG12N60A4>規(guī)格書(shū)詳情

HGTG12N60A4數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

HGTG12N60A4

參數(shù)屬性

HGTG12N60A4 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 54A 167W TO247

功能描述

IGBT 600V 54A 167W TO247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-5 23:01:00

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HGTG12N60A4規(guī)格書(shū)詳情

簡(jiǎn)介

HGTG12N60A4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTG12N60A4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :HGTG12N60A4

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    :600V

  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)

    :54A

  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)

    :96A

  • 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on)

    :2.7V @ 15V,12A

  • 功率 - 最大值

    :167W

  • 開(kāi)關(guān)能量

    :55μJ(開(kāi)),50μJ(關(guān))

  • 輸入類型

    :標(biāo)準(zhǔn)

  • 柵極電荷

    :78nC

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值

    :17ns/96ns

  • 測(cè)試條件

    :390V,12A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型

    :通孔

  • 封裝/外殼

    :TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :TO-247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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22+
TO-3P
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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