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STGF19NC60HD數據手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGF19NC60HD

參數屬性

STGF19NC60HD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 16A 32W TO220FP

功能描述

19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode
IGBT 600V 16A 32W TO220FP

封裝外殼

TO-220-3 整包

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數據手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-6 15:15:00

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STGF19NC60HD規(guī)格書詳情

描述 Description

These devices are ultrafast IGBT. They utilize theadvanced Power MESH? process resulting in anexcellent trade-off between switchingperformance and low on-state behavior.

特性 Features

? Low on-voltage drop (VCE(sat))
? Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode

簡介

STGF19NC60HD屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的STGF19NC60HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數

更多
  • 制造商編號

    :STGF19NC60HD

  • 生產廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :32

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :10

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :16

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :20

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.75

  • VF_typ(V)

    :2.6

  • Qg_typ(nC)

    :53

  • Eon_typ(mJ)

    :0.09

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.19

  • Qrr_typ(nC)

    :30

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
22+
TO220FP
9000
原廠渠道,現貨配單
詢價
ST/意法半導體
23+
TO-220-3 FP
16900
公司只做原裝,可來電咨詢
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ST
25+
TO220F
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STMicroelectronics
2022+
TO-220FP
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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ST/意法半導體
24+
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ST/意法半導體
24+
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ST/意法半導體
24+
TO-220-3 FP
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ST/意法半導體
2020+
TO-220-3 FP
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ST/意法
20+
TO-220F
29
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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ST/意法半導體
2023+
TO-220-3 FP
6000
原裝正品現貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供
詢價