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STGF14NC60KD數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

STGF14NC60KD

參數(shù)屬性

STGF14NC60KD 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 11A 28W TO220FP

功能描述

14 A、600 V短路保護(hù)IGBT
IGBT 600V 11A 28W TO220FP

封裝外殼

TO-220-3 整包

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 15:16:00

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STGF14NC60KD規(guī)格書詳情

描述 Description

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH? process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

特性 Features

? Short circuit withstand time 10μs
? Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility)
? Low on-voltage drop (VCE(sat))
? Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
? Switching losses include diode recovery energy

簡(jiǎn)介

STGF14NC60KD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGF14NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :STGF14NC60KD

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220FP

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :28

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :7

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :11

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :10

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.85

  • VF_typ(V)

    :1.8

  • Qg_typ(nC)

    :34.4

  • Eon_typ(mJ)

    :0.08

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.16

  • Qrr_typ(nC)

    :98

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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