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STGD7NB60S數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGD7NB60S

參數(shù)屬性

STGD7NB60S 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 15A 55W DPAK

功能描述

Low Drop \"S\" series
IGBT 600V 15A 55W DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-6 20:00:00

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STGD7NB60S規(guī)格書詳情

特性 Features

? HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
? HIGH CURRENT CAPABILITY
? VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)
? SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX \\\"T4\\\")
? OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

簡介

STGD7NB60S屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGD7NB60S晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :STGD7NB60S

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :55

  • Freewheeling diode

    :false

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :7

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :15

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.2

  • Qg_typ(nC)

    :33

  • Eon_typ(mJ)

    :0.4

  • Eoff_typ(mJ)

    :5.3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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