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STGD7NB60ST4數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGD7NB60ST4

參數(shù)屬性

STGD7NB60ST4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 15A 55W DPAK

功能描述

7 A, 600 V, low drop IGBT
IGBT 600V 15A 55W DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-6 17:23:00

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STGD7NB60ST4規(guī)格書詳情

描述 Description

This IGBT uses the advanced PowerMESH process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).

特性 Features

? Lower on-voltage drop (VCE(sat))
? High current capability

簡介

STGD7NB60ST4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGD7NB60ST4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGD7NB60ST4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,7A

  • 開關(guān)能量:

    3.5mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    700ns/-

  • 測試條件:

    480V,7A,1 千歐,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 15A 55W DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法)
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