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STGF10NB60SD數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
STGF10NB60SD |
| 參數(shù)屬性 | STGF10NB60SD 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 23A 25W TO220FP |
| 功能描述 | 16 A、600 V低壓降IGBT，帶柔軟、恢復(fù)速度極快的二極管 |
| 封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-6 17:30:00 |
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STGF10NB60SD規(guī)格書詳情
描述 Description
This IGBT utilizes the advanced Power MESH? process featuring extremely low on-state voltage drop in low-frequency working conditions (up to 1 kHz).
特性 Features
? Low on-voltage drop (VCE(sat))
? High current capability
? Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
簡介
STGF10NB60SD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGF10NB60SD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：STGF10NB60SD
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Package
：TO-220FP
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：25
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：12
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：23
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：20
- VCE(sat)_typ(V)
：1.35
- VF_typ(V)
：1.9
- Qg_typ(nC)
：33
- Eon_typ(mJ)
：0.6
- Eoff_typ(mJ)
：5
- Qrr_typ(nC)
：40
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO-220FP |
12000 |
原裝優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨訂貨渠道商 |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
9950 |
只做原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 FP |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-220-3 FP |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
20000 |
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅 |
詢價 | ||
ST全系列 |
25+23+ |
TO-220FP |
26234 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-220-3 FP |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST/意法 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
ST |
22+ |
TO220FP |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |
