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STGD7NB60K數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGD7NB60K

參數(shù)屬性

STGD7NB60K 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 70W DPAK

功能描述

N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 14A 70W DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-6 17:52:00

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STGD7NB60K規(guī)格書詳情

簡介

STGD7NB60K屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGD7NB60K晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGD7NB60KT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,7A

  • 開關(guān)能量:

    95μJ(開),140μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    15ns/50ns

  • 測試條件:

    480V,7A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 70W DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
15+
TO-252
12500
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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