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STGD6NC60HDT4數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

STGD6NC60HDT4

參數(shù)屬性

STGD6NC60HDT4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK

功能描述

N溝道600 V、7 A超快IGBT
IGBT 600V 15A 56W DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-6 19:10:00

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STGD6NC60HDT4規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH? technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. This device is well-suited for resonant or soft-switching applications.

特性 Features

? Low on-voltage drop (VCE(sat))
? Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
? Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
? High frequency operation

簡介

STGD6NC60HDT4屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGD6NC60HDT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :STGD6NC60HDT4

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :60

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :7

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :15

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :10

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.75

  • VF_typ(V)

    :1.6

  • Qg_typ(nC)

    :13.6

  • Eon_typ(mJ)

    :0.02

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.07

  • Qrr_typ(nC)

    :14

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
24+
SOT252
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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24+
SOT252
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十年沉淀唯有原裝
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