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首頁(yè)>IRG4BC30F>規(guī)格書詳情

IRG4BC30F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC30F
廠商型號(hào)

IRG4BC30F
參數(shù)屬性

IRG4BC30F 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB
功能描述

Fit Rate / Equivalent Device Hours
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

98.39 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

35 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
IRF
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-8-2 23:00:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC30F

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，17A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    230μJ（開(kāi)），1.18mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    21ns/200ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，17A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開(kāi)13%增
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