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IRG4BC20UD-SPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRG4BC20UD-SPBF
廠商型號(hào)

IRG4BC20UD-SPBF

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

301.01 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-5 23:01:00

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IRG4BC20UD-SPBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? UltraFast: Optimized for high operating frequencies

8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant

mode

? Generation 4 IGBT design provides tighter para-

meter distribution and higher efficiency than

Generation 3

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

? Industry standard D2Pak package

? Lead-Free

Benefits

? Generation 4 IGBTs offers highest efficiencies

available

? Optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

? Designed to be a drop-in replacement for

equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRG4BC20UD-SPBF

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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