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IRG4BC30分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC30
廠商型號

IRG4BC30

參數(shù)屬性

IRG4BC30 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

137.95 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-10 22:58:00

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IRG4BC30規(guī)格書詳情

特性 Features

? High short circuit rating optimized for motor control,

tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,

VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high

switching speed

? Latest generation design provides tighter parameter

distribution and higher efficiency than previous

generations

Benefits

? As a Freewheeling Diode we recommend our

HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for

minimum EMI / Noise and switching losses in the

Diode and IGBT

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power

density motor controls possible

? This part replaces the IRGBC30K and IRGBC30M

devices

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BC30FD1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,17A

  • 開關(guān)能量:

    370μJ(開),1.42mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    22ns/250ns

  • 測試條件:

    480V,17A,23 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IR
2016+
TO-220
6000
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
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只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
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絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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