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IRG4BC20W-SPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4BC20W-SPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC20W-SPBF 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 13A 60W D2PAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
212.93 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-21 15:22:00 |
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IRG4BC20W-SPBF規(guī)格書詳情
特性 Features
? Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications
? Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies
? 50 reduction of Eoff parameter
? Low IGBT conduction losses
? Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability
? Lead-Free
Benefits
? Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode)
? Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher
? Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >>300kHz)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4BC20W-SPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，6.5A
- 開關(guān)能量：
60μJ（開），80μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
22ns/110ns
- 測試條件：
480V，6.5A，50 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
- 描述：
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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