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IRG4BC30分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC30
廠商型號

IRG4BC30
參數(shù)屬性

IRG4BC30 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

412.64 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網
原廠標識
IRF
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-8-2 15:22:00
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IRG4BC30規(guī)格書詳情

特性 Features

? Fast: Optimized for medium operating

frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20

kHz in resonant mode).

? Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

? Industry standard TO-220AB package

Benefits

? Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies

available

? IGBTs optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

? Designed to be a drop-in replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產品屬性

  • 產品編號：

    IRG4BC30FD1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，17A

  • 開關能量：

    370μJ（開），1.42mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    22ns/250ns

  • 測試條件：

    480V，17A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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