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IRG4BC20UDS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRG4BC20UDS
廠商型號(hào)

IRG4BC20UDS

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

文件大小

235.04 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
IRF
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-4 8:01:00

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IRG4BC20UDS規(guī)格書詳情

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

特性 Features

? UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant

mode

? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

? Industry standard D2Pak package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offers highest efficiencies available

? Optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

? Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRG4BC20UDS

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 600V 13A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
21+
D2PAK
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Infineon Technologies
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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IR
24+
TO-263
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22+
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原裝現(xiàn)貨,假一罰十
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IR
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TO-263
7000
詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
D2PAK
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
Infineon
24+
NA
3020
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢價(jià)