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HGTP7N60B3D數據手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

HGTP7N60B3D

參數屬性

HGTP7N60B3D 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 14A 60W TO220AB

功能描述

IGBT 600V 14A 60W TO220AB

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數據手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 18:19:00

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HGTP7N60B3D規(guī)格書詳情

簡介

HGTP7N60B3D屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的HGTP7N60B3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數

更多
  • 制造商編號

    :HGTP7N60B3D

  • 生產廠家

    :ONSEMI

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    :600V

  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)

    :14A

  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)

    :56A

  • 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on)

    :2.1V @ 15V,7A

  • 功率 - 最大值

    :60W

  • 開關能量

    :160μJ(開),120μJ(關)

  • 輸入類型

    :標準

  • 柵極電荷

    :23nC

  • 25°C 時 Td(開/關)值

    :26ns/130ns

  • 測試條件

    :480V,7A,50歐姆,15V

  • 反向恢復時間(trr)

    :37ns

  • 工作溫度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型

    :通孔

  • 封裝/外殼

    :TO-220-3

  • 供應商器件封裝

    :TO-220-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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23+
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19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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