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HGTP3N60C3數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

HGTP3N60C3

功能描述

6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-5 16:01:00

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HGTP3N60C3規(guī)格書詳情

描述 Description

The HGTD3N60C3S and the HGTP3N60C3 are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

特性 Features

? 6A, 600V at TC = 25°C
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 130ns at TJ = 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
? Related Literature
?? - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”?

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    HGTP3N60C3

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

  • 制造商:

    Harris Corporation

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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05+
原廠原裝
5070
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
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只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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