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HGTP5N120BND數據手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

HGTP5N120BND

功能描述

1200V,NPT IGBT

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數據手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 19:10:00

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HGTP5N120BND規(guī)格書詳情

描述 Description

HGTP5N120BND 基于無通沖孔 (NPT) IGBT 設計。此 IGBT 適用于低導通損耗至關重要的、在中等頻率下運行的多種高電壓開關應用,如 UPS、太陽能逆變器和電機控制。

特性 Features

?10A, 1200V @ TC = 110°C
?低飽和電壓:V CE(sat) = 2.45 V,需 I C = 5 A
?典型下降時間。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C時為175ns
?短路額定值
?低傳導損耗

應用 Application

? 不間斷電源

技術參數

  • 型號:

    HGTP5N120BND

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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