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HGTP12N60C3D數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF
| 廠商型號(hào) |
HGTP12N60C3D |
| 參數(shù)屬性 | HGTP12N60C3D 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 24A TO220-3 |
| 功能描述 | 600V, UFS IGBT |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-5 18:19:00 |
| 人工找貨 | HGTP12N60C3D價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
HGTP12N60C3D規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
此MOS柵極高壓開(kāi)關(guān)器件系列充分融合了MOSFET和雙極性晶體管的最佳功能。 該器件具有 MOSFET 的高輸入阻抗以及雙極晶體管的低通態(tài)導(dǎo)通損耗。 低得多的通態(tài)壓降僅在25°C到150°C之間適度變化。 使用的IGBT是開(kāi)發(fā)類型TA49123。 反平行與IGBT中使用的二極管是開(kāi)發(fā)類型TA49188。該IGBT非常適合許多工作頻率中等，而低傳導(dǎo)損耗又至關(guān)重要的高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用。以前的開(kāi)發(fā)類型為TA49182。
特性 Features
?24 A、600 V，需 TC = 25°C
?TJ = 150°C 時(shí)的典型下降時(shí)間................210 ns
?短路額定值
?低導(dǎo)通損耗
?超快速反并聯(lián)二極管
應(yīng)用 Application
其他工業(yè)
簡(jiǎn)介
HGTP12N60C3D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的HGTP12N60C3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
HGTP12N60C3D
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，15A
- 開(kāi)關(guān)能量：
380μJ（開(kāi)），900μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 24A TO220-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
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