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HGTP7N60B3D 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號:HGTP7N60B3D品牌:ON/安森美
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
HGTP7N60B3D是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的HGTP7N60B3D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 型號
:HGTP7N60B3D
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
:600V
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
:14A
- 脈沖電流 - 集電極 (Icm)
:56A
- 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on)
:2.1V @ 15V,7A
- 功率 - 最大值
:60W
- 開關(guān)能量
:160μJ(開),120μJ(關(guān))
- 輸入類型
:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷
:23nC
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值
:26ns/130ns
- 測試條件
:480V,7A,50歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)
:37ns
- 工作溫度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型
:通孔
- 封裝/外殼
:TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝
:TO-220-3
供應(yīng)商
相近型號
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