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STH12N120K5-2數(shù)據(jù)手冊ST中文資料規(guī)格書

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廠商型號

STH12N120K5-2

功能描述

N溝道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET,H2PAK-2封裝

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 23:01:00

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STH12N120K5-2規(guī)格書詳情

描述 Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh? K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

特性 Features

? Worldwide best FOM (figure of merit)
? Ultra-low gate charge
? 100% avalanche tested
? Zener-protected

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :STH12N120K5-2

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-2

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :1200

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.69

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :12

  • PTOT_max(W)

    :250

  • Qg_typ(nC)

    :44.2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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