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STGY40NC60VD數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGY40NC60VD

參數(shù)屬性

STGY40NC60VD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 80A 260W MAX247

功能描述

超快“V”系列
IGBT 600V 80A 260W MAX247

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 20:00:00

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STGY40NC60VD規(guī)格書詳情

描述 Description

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding performances. The suffix “V” identifies a family optimized for very high frequency applications.

特性 Features

? High current capability
? Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
? High frequency operation up to 50kHz
? Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

簡介

STGY40NC60VD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGY40NC60VD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :STGY40NC60VD

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :Max247

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :600

  • PTOT_max(W)

    :260

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :50

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :80

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :30

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.9

  • VF_typ(V)

    :1.5

  • Qg_typ(nC)

    :214

  • Eon_typ(mJ)

    :0.33

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.72

  • Qrr_typ(nC)

    :237

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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