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STGYA50M120DF3數(shù)據(jù)手冊分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
STGYA50M120DF3 |
| 參數(shù)屬性 | STGYA50M120DF3 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, |
| 功能描述 | 1200 V、50 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，Max247長引線封裝 |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導體 意法半導體集團 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-5 23:01:00 |
| 人工找貨 | STGYA50M120DF3價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STGYA50M120DF3規(guī)格書詳情
描述 Description
該器件是采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)的IGBT。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。此外，它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布，使得并聯(lián)操作更為安全。
特性 Features
? 最大結溫：TJ = 175 °C
? 短路耐受時間為10 μs
? 低 VCE(sat)（1.7 V典型值）@ IC = 50 A
? 緊湊參數(shù)分布
? 正VCE(sat)溫度系數(shù)
? 低熱阻
? 柔軟、恢復速度極快的反向并聯(lián)晶體管
簡介
STGYA50M120DF3屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的STGYA50M120DF3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
技術參數(shù)
更多- 產品編號：
STGYA50M120DF3
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，50A
- 開關能量：
2mJ（開），3.2mJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
38ns/258ns
- 測試條件：
600V，50A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
MAX247?
- 描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導體) |
24+ |
- |
928 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務 |
詢價 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
HITACHI/日立 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
Max247 long leads |
12500 |
ST系列在售,可接長單 |
詢價 | ||
HITACHI |
23+ |
SMD |
9868 |
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詢價 | ||
SAMTEL |
25+23+ |
0 |
13303 |
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
臺產 |
23+ |
QFP48 |
15000 |
一級代理原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
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詢價 | ||
臺產 |
1950+ |
QFP48 |
6852 |
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詢價 | ||
HITACHI |
NA |
8560 |
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詢價 |
