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STGYA75H120DF2數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

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廠商型號(hào)

STGYA75H120DF2

參數(shù)屬性

STGYA75H120DF2 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7

功能描述

1200 V、75 A高速溝槽柵場(chǎng)截止HB2系列IGBT,TO-247長(zhǎng)引線封裝
TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7

封裝外殼

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-5 20:11:00

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STGYA75H120DF2規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

該器件是采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)的IGBT。該器件是“H”系列IGBT中的成員,代表了導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,實(shí)現(xiàn)了高開(kāi)關(guān)頻率轉(zhuǎn)換器的效率最大化。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)和超緊密的參數(shù)分布使得并聯(lián)操作更為安全。

特性 Features

? 最大結(jié)溫:TJ = 175 °C
? 短路耐受時(shí)間為5 μs
? VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A
? 緊湊參數(shù)分布
? 正VCE(sat)溫度系數(shù)
? 低熱阻
? 恢復(fù)速度極快的反向并聯(lián)晶體管

簡(jiǎn)介

STGYA75H120DF2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGYA75H120DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGYA75H120DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,75A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    4.3mJ(開(kāi)),3.9mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    61ns/366ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,75A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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