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STGD3NB60HD數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

廠商型號 |
STGD3NB60HD |
參數(shù)屬性 | STGD3NB60HD 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK |
功能描述 | N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名稱 | 意法半導體 意法半導體集團 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-6 20:36:00 |
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STGD3NB60HD規(guī)格書詳情
簡介
STGD3NB60HD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGD3NB60HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
技術參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號:
STGD3NB60HDT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,3A
- 開關能量:
33μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
5ns/53ns
- 測試條件:
480V,3A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 10A 50W DPAK
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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