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STGD3NB60HD數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGD3NB60HD

參數(shù)屬性

STGD3NB60HD 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK

功能描述

N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 10A 50W DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導體 意法半導體集團

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-6 20:36:00

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STGD3NB60HD規(guī)格書詳情

簡介

STGD3NB60HD屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGD3NB60HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

技術參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGD3NB60HDT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,3A

  • 開關能量:

    33μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    5ns/53ns

  • 測試條件:

    480V,3A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 10A 50W DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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